Оперативная память SO-DIMM Team Group TED34G1600C11-S01
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память SO-DIMM Team Group TED34G1600C11-S01
Оперативная память SO-DIMM Team Group TED34G1600C11-S01
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Основные характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1600
Объем
1 модуль 4 Гб
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность
12800 Мб/с
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный